محبوبه عمیدی: در هفته گذشته، محققان شرکت آی.بی.ام همراه با همکارشان دکتر پل روتموند از مؤسسه فناوری کالیفرنیا، کالتک، دستیابی به روشی پیشرفته تولید ریزتراشه‌ها و سایر تجهیزات نیمه‌رسانایی را با استفاده از شکل خودآرایی نانوساختار دی.ان.ای گزارش کردند.
به گزارش سی‌نت، اسپایک نارایان، مدیر بخش علم و فناوری مرکز تحقیقات آی.بی.ام در این باره می‌گوید: «کوچک‌تر کردن تراشه‌ها، بسیار‌هزینه‌بر است و این همان عاملی است که صنعت نیمهرساناها را در بهبود کارایی ریزتراشه‌ها در ادامه مسیر و تعبیت از قانون مور محدود کرده و نگرانی‌های فعلی را به بار آورده است».
اما ممکن است، تراشههایی با ابعاد هندسی زیر 22 نانومتر این قانون را نقض کنند. مطابق گزارش مؤسسه تحقیقاتی iSuppli در خردادماه، تا سال 2014 / 1393 ، هزینه‌های بالای تجهیزات تولید نیمهرساناها قانون مور را تهدید خواهد کرد، آی‌ساپلای از این تغییر با نام «دگرگونی اساسی اقتصاد صنعت ریزتراشه‌ها» نام برده است. تولید تراشه‌های جدید از لحاظ تئوری باید میلیاردها دلار هزینه داشته باشد و علاوه بر این، همین هزینه‌ها هم با کاهش ابعاد مدارها افزایش پیدا خواهد کرد.
به همین دلیل، آی.بی.ام مولکول دی.ان.ای را که مانند داربستی متشکل از میلیون‌ها نانولوله کربنی، در فضایی اندک کنار یکدیگر جمع شوند و در الگویی دقیق به خودآرایی می‌پردازند، به عنوان نمونه‌ای برای چیدمان تراشه‌ها انتخاب کرده است. این دستاورد، می‌تواند راهی بسیار‌مقرون به صرفه تر برای چیدمان تراشههایی با ابعاد زیر 22 نانومتر تا کمتر از 6 نانومتر را، پیش روی صنعت ریز‌تراشه قرار دهد. این مطلبی مشترکی است که شهریورماه گذشته، توسط محققان آی.بی.ام و کلتک‌ساینس در بخش نانوتکنولوژی نشریه نیچر با عنوان «استفاده از وضعیت و جهت‌گیری نانوساختار دزوکسی‌ریبونوکلئیک اسید (دی.ان.ای) برای طراحی سطوحی با الگوهای مشخص» به چاپ رسیده است.
آی.بی.ام می‌گوید: «دستاورد این تحقیق استفاده از نانوساختار دی.ان.آ به عنوان داربست اصلی یا بورد مینیاتوری مدار است که می‌تواند به مونتاژ دقیق ترکیباتی مانند نانولوله‌های کربنی، نانوسیم‌ها و نانو‌ذرات روی این بدنه ختم شود. آی.بی.ام معتقد است ترکیب خودآرایی زیستی و پیشرفت‌های فناوری امروزی ساخت، در نهایت به تغییری اساسی در گران‌قیمت‌ترین و چالش‌برانگیزترین بخش تولید ریز تراشه‌ها ختم خواهد شد.