نام ترانزیستور با نام افرادی چون ویلیام شاکلی (1910-1989)، جان باردین(1908-1991) و والتر براتاین (1902-1987) عجین شده که بر اساس مدارک و اسناد تاریخی اولین بار باردین و براتاین در 16 دسامبر 1947 موفق به ساخت اولین ترانزیستور اتصال نقطهای در آزمایشگاه بل شدند. (تاریخ نمایش عمومی برای علاقمندان بین 17 تا 23 دسامبر 1947 ثبت شده است.)
این وسیله همه جا قابل مشاهده، امروزه در جای جای صنعت و دنیای کامپیوتر در ترکیب با قطعات حضور دارد که تاریخچه آن به اواسط دهه 1920 میلادی بر می گردد. در مورد اختراع و حق ثبت ترانزیستور بحث وجود دارد.
اولین حق ثبت اختراع ترانزیستور اثر میدان در سال 1928 در آلمان توسط فیزیک دانی به نامJulius Edgar Lilienfeld ثبت شد، اما او هیچ مقالهای در باره قطعه اش چاپ نکرد و این سه ثبت اختراع از طرف صنعت نادیده گرفته شد. در سال 1934 فیزیکدان آلمانی دکتر Oskar Heil ترانزیستور اثر میدان دیگری را به ثبت رساند. هیچ مدرک مستقیمی وجود ندارد که این قطعه ساخته شدهاست.
اولین ترانزیستور اتصال نقطهای در آزمایشگاه بل (شبیه سازی شده در سال 1997)
بهر حال این نام 65 ساله نیست. جان پیرس کارمند آمایشگاه بل (1910-2002) در ماه می 1948 از ترکیب واژگان transconductance یا transfer با varistor پس از رای گیری کلمه ترانزیستور را روی آن گذاشتند. این قطعه منطقاً متعلق به خانواده مقاومت متغیر میباشد و یک امپدانس انتقال یا گین دارد بنابراین این اسم یک ترکیب توصیفی است. -آزمایشگاههای تلفن بل- یاداشت فنی(28 می1948) در آن زمان تصور میشد که این قطعه مثل دو لامپ خلإ است. لامپهای خلإ هدایت انتقالی دارند بنابراین ترانزیستور مقاومت انتقالی دارد.کار واقعی روی ترانزیستور تا پایان جنگ جهانی صورت نگرفت. شاکلی ترانزیستوری از چند قطعه نیمه هادی شامل سیلیکون ساخت.
بل فوراً ترانزیستور تک اتصالی را جزء تولیدات انحصاری شرکت Western Electric، شهر Allentown در ایالت Pennsylvania قرار داد. نخستین ترانزیستورهای گیرندههای رادیو AM در معرض نمایش قرار گرفتند، اما در واقع فقط در سطح آزمایشگاهی بودند. بهرحال در سال 1950 Shockley یک نوع کاملاً متفاوت ترانزیستور را ارائه داد که به ترانزیستور اتصال دوقطبی معروف شد. اگرچه اصول کاری این قطعه با ترانزیستور تک اتصالی کاملاً فرق میکند، قطعهای است که امروزه به عنوان ترانزیستور شناخته میشود. پروانه تولید این قطعه نیز به تعدادی از شرکتهای الکترونیک شامل Texas Instrument که تعداد محدودی رادیو ترانزیستوری بعنوان ابزار فروش تولید میکرد داده شد. ترانزیستورهای اولیه از نظر شیمیایی ناپایدار بودند و فقط برای کاربردهای فرکانس و توان پایین مناسب بودند، اما همینکه طراحی ترانزیستور توسعه یافت این مشکلات نیز کم کم رفع شدند. اگرچه اغلب نادرست به Sony نسبت داده میشود، ولی اولین رادیو ترانزیستوری تجاری Regency TR-1 بود که توسط Regency Division از I.D.E.A (گروه مهندسی توسعه صنعتی) شهر Indianapolis ایالت Indiana ساخته شده و در 18 اکتبر 1954 اعلام شد.
ساختار اولین ترانزیستور اتصال نقطهای
این رادیو در نوامبر 1954 به قیمت 95/49 دلار(معادل با 361 دلار در سال 2005) به فروش گذاشته شد و تعداد 150000 از آن به فروش رفت. این رادیو از 4 ترانزیستور استفاده میکرد وبا یک باتری 5/22 ولتی راه اندازی میشد. هنگامیکه Masaru Ibuka، موسس شرکت ژاپنی سونی از آمریکا دیدن میکرد آزمایشگاههای بل ارائه مجوز ساخت شامل ریز دستوراتی مبنی بر چگونگی ساخت ترانزیستور را اعلام کرده بودند. Ibuka مجوز خرید 50000 دلاری پروانه تولید را از وزیر دارایی ژاپن گرفت و در سال 1955 رادیوی جیبی خود را تحت مارک سونی معرفی کرد. بعد از دو دهه ترانزیستورها بتدریج جای لامپهای خلإ را در بسیاری از کاربردها گرفتند و بعدها امکان تولید دستگاههای جدیدی از قبیل [مدارات مجتمع] و رایانههای شخصی را فراهم آوردند. از Shockley, Bardeen و Brattian بخاطر تحقیقاتشان در مورد نیمه هادیها وکشف اثر ترانزیستر با جایزه نوبل فیزیک قدردانی شد.
سمت راست: والتر براتاین ، وسط: جان باردین، سمت چپ: ویلیام شاکلی
ترانزیستورهای جدید
ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته میشود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهایپیوند نوع N و پیوند نوع P میباشد. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم میشوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین ورودی وترمینال مشترک رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش میدهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها میشود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن بستگی دارد. لغت «ترانزیستور» به نوع اتصال نقطهای آن اشاره دارد، اما انی سمبل قدیمی با سمبلهایی را کردند که اختلاف ساختار ترانزیستور دوقطبی را به صورت دقیقتر نشان میداد، اما این ایده خیلی زود رها شد. در مداراهای آنالوگ، ترانزیستورها در تقویت کنندهها استفاده میشوند، (تقویت کنندههای جریان مستقیم، تقویت کنندههای صدا، تقویت کنندههای امواج رادیویی) و منابع تغذیه تنظیم شده خطی. همچنین از ترانزیستورها در مدارات دیجیتال بعنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده میشوند، اما به ندرت به صورت یک قطعه جدا، بلکه به صورت بهم پیوسته در مدارات مجتمع یکپارچه بکار میروند. مداراهای دیجیتال شامل گیتهای منطقی، حافظه با دسترسی تصادفی (RAM)، میکروپروسسورها و پردازندههای سیگنال دیجیتال (DSPs) هستند. ترانزیستور میتواند به عنوان سوییچ نیز کار کند.
BJT از اتصال سه لایه بلور نیمه هادی تشکیل میشود. لایه وسطی بیس(base)، و دو لایه جانبی، یکی امیتر(emitter) و دیگری کلکتور(collector) نام دارد. نوع بلور بیس، با نوع بلورهای امیتر و کلکتور متفاوت است.معمولاً میزان ناخالصی در امیتر بیشتر از دو لایه دیگر وهمچنین عرض لایه بیس کمتر و عرض لایه کلکتور بیشتر از لایه های دیگر است. دریک ترانزیستور دوقطبی، لایه امیتر یا گسیلنده بیشترین مقدار ناخالصی را دارد. که الکترونها از امیتر به سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، گسیل داده می شود.
ترانزیستور ساخته شده توسط Julius Edgar Lilienfeld
5656
نظر شما