قرار دادن ۳۰ میلیارد ترانزیستور درون یک تراشه ۵ نانومتری توسط آی‌بی‌ام

حرکت به‌سوی فناوری 5 نانومتری با کمک آی بی ام منجر به فشرده‌سازی 30 میلیارد ترانزیستور درون یک تراشه شد.

به گزارش خبرآنلاین، برخی از مرگ قانون مور می‌گویند درحالی‌که آی بی ام در کنار شرکایی مانند سامسونگ و Globalfoundries همچنان آن را زنده نگه‌داشته‌اند چراکه راهی برای فشرده‌سازی 30 میلیارد ترانزیستور پیداکرده‌اند که ما را به‌سوی فناوری تراشه‌های 5 نانومتری می‌برد.

درحالی‌که برای توسعه تراشه 5 نانومتری از لیتوگرافی ماوراءبنفش / EUV موجود در 7 نانومتری استفاده‌شده، از طراحی موسوم به FinFET برای چینش ترانزیستورها روی نانو شیت‌های سیلیکونی بهره‌برداری شده است. نتیجه این شده است که بتوان با حداکثرعملکرد، در کمترین مکان روی مدارهای الکتریکی ترانزیستور را روی بورد تعریف‌شده پیاده‌سازی کرد.

دانشمندان روی تراشه 7 نانومتری توانسته‌اند 20 میلیارد ترانزیستور سوار کنند و حالا روی 5 نانومتری تا 30 میلیارد مطابق شکل زیر آن را پیاده‌سازی کرده‌اند.

آی بی ام امیدواراست این تکنیک بتواند به ساخت تراشه‌های اینترنت اشیاء کمک کند و ابزار موبایل را با عمر باتری بالاتر برای این کار آماده کند.



 

5656

کد خبر 673138

برچسب‌ها

نظر شما

شما در حال پاسخ به نظر «» هستید.
7 + 11 =

نظرات

  • نظرات منتشر شده: 1
  • نظرات در صف انتشار: 0
  • نظرات غیرقابل انتشار: 0
  • بی نام A1 ۰۹:۵۴ - ۱۳۹۶/۰۳/۱۵
    1
    باور نکردنیه